AMD EPYC Genoa AMD EPYC Genoa는 AMD(Advanced Micro Devices)가 2022년 11월에 출시한 제3세대 EPYC 서버 프로세서 라인업의 코드명입니다. 이 프로세서는 AMD의 차세대 Zen 4 마이크로아키텍처를 기반으로 하며, AM5 소켓을 사용하여 데스크톱 및 서버 플랫폼 간의 아키텍처 통합을 이루었습니다. Genoa…
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솔리드 스테이트 라이다 (Solid-State LiDAR) 1. 개요 솔리드 스테이트 라이다(Solid-State LiDAR)는 물리적인 회전 부품 없이 반도체 소자와 광학 제어 기술만을 이용하여 주변 환경의 3차원 지도를 생성하는 능동형 광학 센서이다. 기존의 기계식 라이다(Mechanical LiDAR)가 레이저 송신부를 모터로 360도 회전시켜 데이터…
오픈 파운드리 (Open Foundry) 1. 개요 오픈 파운드리는 반도체 제조 공정의 핵심 정보인 [[PDK]](Process Design Kit)를 공개하여, 외부 설계자가 특정 파운드리의 제약 없이 칩을 설계하고 제작할 수 있도록 지원하는 개방형 반도체 제조 모델이다. 기존의 폐쇄형 파운드리 모델에서는 설계자가 파운드리 업체와 엄격한 [[NDA]](N…
AMD Athlon 64 X2 개요 AMD Athlon 64 X2는 미국의 반도체 기업 AMD(Advanced Micro Devices)가 2005년 5월에 출시한 초기 양산형 데스크톱용 듀얼코어 프로세서입니다. 이 프로세서는 x86 아키텍처 기반의 64비트 컴퓨팅 시대를 본격적으로 열어젖힌 제품군 중 하나로, 기존의 싱글코어 아키텍처에서 벗어나 멀티코어 …
GPU 개요 GPU(Graphics Processing Unit 그래픽 처리장치)는 이미지 비디오, 애니메이션 등 그래픽 데이터를 빠르고 효율적으로 처리하기 위해 설계된 전용 전자 회로입니다. 초기에는 주로 컴퓨터 그래픽스와 게임 렌더링에 사용되었지만, 현재는 인공지능(AI), 과학 계산, 데이터 분석, 블록체인 등 다양한 분야에서 중요한 역할을 하고 있습…
Intel 7 공정 개요 Intel 7은텔(Intel)이 개한 10세대 이후의 반도체 제조 공정 기술로, 기존의 10nm Enhanced SuperFin(10nm ESF) 공정을 계승·개량하여 성능과 전력 효율을 향상시킨 기술입니다. 이 공정은 인텔 2021년부터 본격적으로 사용하기 시작했으며, 데스크톱 및 모바일 프로세서에 적용되어 인텔의 공정 기술 경쟁…
메탈 피치 개요 메탈 피치(Metal Pitch)는 반도체 제조 공정에서 매우 중요한 설계 요소 중 하나로, 금속 배선 레이어에서 인접한 금속 선(메탈 라인)의 중심에서 중심까지의 거리를 의미합니다. 이는 반도체 소자의 집적도, 성능, 신뢰성, 제조 난이도에 직접적인 영향을 미치며, 특히 첨단 공정 노드(예: 7nm, 5nm, 3nm 이하)에서 핵심적인 설…
[[펜티엄 4]] (Pentium 4) 1. 개요 [[펜티엄 4]](Pentium 4)는 [[인텔]](Intel)이 2000년부터 2006년까지 생산한 [[x86]] 아키텍처 기반의 고성능 마이크로프로세서 시리즈이다. [[펜티엄 III]]의 후속작으로 출시된 이 프로세서는 '넷버스트(NetBurst)'라는 새로운 아키텍처를 도입하여, 클럭 속도(Clock …
AMD Instinct MI300 1. 개요 AMD Instinct MI300은 AMD가 설계한 데이터센터용 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 인공지능(AI) 가속기로, 차세대 CDNA 3 아키텍처를 기반으로 한 칩렛(Chiplet) 설계의 정점을 보여주는 제품군이다. 본 제품은 거대 언어 모델(LLM)의 학습 및 추론, 복잡한 과학적 시뮬레이션 등 막대한 연산량…
ASIC (주문형 반도체) 개요 ASIC(Application-Specific Integrated Circuit, 주문형 반도체)은 범용적인 목적이 아닌, 특정한 용도나 특정 애플리케이션의 기능을 수행하기 위해 맞춤형으로 설계 및 제조된 집적 회로를 의미한다. 일반 목적 프로세서인 CPU(Central Processing Unit)나 GPU(Graphics…
나노미터 (Nanometer) 나노미터(기호: nm)는 길이의 SI 단위인 미터(m)의 십억 분의 일( m)에 해당하는 길이 단위입니다. '나노(nano)'는 그리스어 '난os(nanos)'에서 유래한 접두사로, '난쟁이' 또는 '작은'이라는 의미를 지니며, 국제단위계(SI)에서 를 나타냅니다. 나노미터는 원자나 분자, 바이러스 등 미시 세계의 크기를 측정…
7nm 공정 개요 7nm 공정(7나노미터 공정)은 반도체 제조에서 트랜지스터의 게이트 길이 또는 특정 특징 치수(feature size)를 기준으로 명명된 첨단 마이크로프로세서 제조 공정 기술을 의미합니다. 이는 반도체 소자의 미세화 수준을 나타내는 지표로, 7nm는 약 7나노미터(10억 분의 1미터)의 스케일에서 트랜지스터를 설계하고 제작할 수 있음을 나…
LiDAR 개요 LiDAR(Light Detection and Ranging, 라이다)는 레이저를 이용해 물체까지의 거리와 형태를 정밀하게 측정하는 원격 감지 기술입니다. 레이더(Radar)가 전파를 사용하는 반면, LiDAR는 빛(주로 레이저)을 이용하여 높은 공간 해상도를 제공합니다. 이 기술은 지형 측량, 자율주행차, 로봇 공학, 환경 모니터링, 문화…
EUV 리소그래피 개요 EUV 리소그래피(EUV Lithography, Extreme Ultraviolet Lithography)는 반도체 제조 공정에서 사용되는 차세대 리소그래피 기술로, 13.5nm 파장의 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)을 이용하여 반도체 소자에 미세한 회로 패턴을 전사하는 공정입니다. 이 기술은 기존의 ArF 엑…
나노미터 개요 나노미터nanometer, 기호:nm)는 길이의 단위로 1미터의 1억 분의 1에 해당하는 매우 작은 거리 단위이다. 즉, 1 나노미터 미터로 정의된다. 이 단위는 원자, 분자, 나노소재, 반도체 소자, 생물학적 구조 등 미세한 구조를 측정할 때 주로 사용되며, 현대 과학기술, 특히 나노기술, 전자공학, 생물의학 분야에서 핵심적인 역할을 한다.…
반도체 제조 개요 반도체조는 전자기기의 핵 부품인 반도체 소 설계하고 생산하는 고도로 정밀한 산업 공정입니다. 이 과정은 실리콘 웨퍼를 기반으로 수십 나노미터(nm) 수준의 미세 구조를 형성하여 트랜지스터, 다이오드, 집적회로(IC) 등을 만드는 일련의 공정으로 구성됩니다. 반도체는 스마트폰, 컴퓨터, 자동차, 인공지능 시스템 등 현대 기술의 거의 모든 분…
TWINSCAN NXE리즈 개요 TWINSCAN NXE리즈는 네덜란드의 첨단 반체 장비 제업체인 ASML이발한 극자외선(EUV, Extreme Ultraviolet) 리소그래피 장비의 대표적인 제품군이다. 이 시리즈는 반도체 제 공정에서 회 패턴을 웨이에 정밀하게쇄하는 데 사용며, 7nm 이하의 초미세 공정 기술을 가능하게 하는 핵심 장비로 평가받는다. T…
Apple M2 Apple M2는 애플(Apple Inc.)이 설계한 ARM 아키텍처반의 시스템 온 칩(SoC, System on a Chip)으로, 2022년 6월6일 애플의 세계 개발자의(WWDC)에서 공개되었다. M2는 전작인 Apple M1의 후속 모델로서, 향상된 성능, 에너지 효율성, 그래픽 처리 능력, 및 더 높은 메모리 대역폭을 제공한다. 이…
Apple Silicon Apple Silicon은 애플(Apple Inc.)이적으로 설계한 시스템 온 칩(SoC, System on a Chip) 아키텍처의 총칭으로, 주로 맥(Mac), 아이패드(iPad),폰(iPhone) 등의 애플 기기에서 사용되는 반도체 칩이다. 특히 2020부터 맥 제품군 탑재되기 시작하며 인텔 프로세서에서의 전환을 상징하는 중요…
High Numerical Aperture EUV 개요 Highical Aperture EU(High-NA EU)는 차세 반도체 리그래피 기술로서 기존의 극자외선(EUV, Extreme Ultr) 리소그래피를전시켜 더욱세한 반도체턴을 형성하기 위한 핵심 기술입니다 반도체 산은 지속적인 미세화(Moore Law)를 위해소그래피의 해상도 향이 필수적이며, Hi…