오픈 파운드리
오픈 파운드리 (Open Foundry) 1. 개요 오픈 파운드리는 반도체 제조 공정의 핵심 정보인 [[PDK]](Process Design Kit)를 공개하여, 외부 설계자가 특정 파운드리의 제약 없이 칩을 설계하고 제작할 수 있도록 지원하는 개방형 반도체 제조 모델…
문서 목록 반도체
총 12개삼성전자
삼성전자 (Samsung Electronics) 1. 개요 [[삼성전자]]는 대한민국에 본사를 둔 글로벌 IT 기업으로, [[메모리 반도체]], 스마트폰, TV, 가전제품 등을 설계 및 제조하는 세계 최대 규모의 종합 전자 기업이다. 특히 반도체 부문에서는 메모리 분야…
Intel 7 공정
Intel 7 공정 개요 Intel 7은텔(Intel)이 개한 10세대 이후의 반도체 제조 공정 기술로, 기존의 10nm Enhanced SuperFin(10nm ESF) 공정을 계승·개량하여 성능과 전력 효율을 향상시킨 기술입니다. 이 공정은 인텔 2021년부터 본격…
플래시 메모리
플래시 메모리 (Flash Memory) 1. 개요 플래시 메모리는 전원이 꺼져도 저장된 데이터가 사라지지 않는 비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory)의 일종으로, 전기적 삭제와 재기록이 가능한 EEPROM(Electrically Erasable Prog…
플래시 컨트롤러
플래시 컨트롤러 (Flash Controller) 1. 개요 플래시 컨트롤러는 SSD(Solid State Drive), eMMC, UFS와 같은 플래시 기반 저장 장치에서 호스트 시스템(CPU/OS)과 낸드 플래시 메모리(NAND Flash Memory) 사이의 데이…
Blackfin
Blackfin 개요 Blackfin은 아나로그디바이스(Analog Devices, Inc.)에서 개발한 고성능 디지털 신호 프로세서(DSP, Digital Signal Processor) 아키텍처로, 실시간 신호 처리와 제어 기능을 동시에 수행할 수 있도록 설계된 하…
7nm 공정
7nm 공정 개요 7nm 공정(7나노미터 공정)은 반도체 제조에서 트랜지스터의 게이트 길이 또는 특정 특징 치수(feature size)를 기준으로 명명된 첨단 마이크로프로세서 제조 공정 기술을 의미합니다. 이는 반도체 소자의 미세화 수준을 나타내는 지표로, 7nm는 …
반도체 제조
반도체 제조 개요 반도체조는 전자기기의 핵 부품인 반도체 소 설계하고 생산하는 고도로 정밀한 산업 공정입니다. 이 과정은 실리콘 웨퍼를 기반으로 수십 나노미터(nm) 수준의 미세 구조를 형성하여 트랜지스터, 다이오드, 집적회로(IC) 등을 만드는 일련의 공정으로 구성됩…
Intel 20A
Intel 20A Intel 20A는 인텔el)이 개발한세대 반도체 제조 공 기술로,2024년용화를 목표로 하고 있는 첨단 나노미터m)급 공정 노드입니다. 이 기술은 인텔 'IDM 2.0' 전략의 핵심 구성 요소 중 하나로,도체 제조의 경쟁력을 회복하고 파운드리 시장에…
TSMC
TSMC 개요 TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 대만반도체제조유한공사)는 세계 최대의 파운드리(Fab-less 고객을 위한 반도체 위탁 생산) 기업으로, 1987년 대만에서 설립되었다. 본사는 신주과학공원(新竹科學園…
EUV 리소그래피
EUV 리소그래피 개요 EUV 리소그래피(EUV Lithography, Extreme Ultraviolet Lithography)는 반도체 제조 공정에서 가장 정밀한 패턴을 형성하기 위해 사용되는 첨단소그래피 기이다. 이 기술은장이 약 13.5 나노미터(nm) 인 극자…
반도체 제조 공정 노드
반도체 제조 공정 노드 개요 반도체 제조 공정 노드(이하 '공정 노드')는도체 칩을 제조할 때 사용되는 기술의 정밀도와 미세화 수준을 나타내는 지표입니다. 일반적으로 나노미터(nm) 단위로 표현되며, 7nm, 5nm, 3nm 등의 숫자는 트랜지스터의 게이트 길이, 피치…