# IGBT ## 개요 IGBTulated Gate Bipolar Transistor**, 절연게이트 양극성 트랜지스터)는 전력 전자 공학 분야에서 널리 사용되는 반도체 전력 소자로, MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)의 고속 스위칭 특성과 BJT(Bipolar Junction Tran...
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"실리콘"에 대한 검색 결과 (총 35개)
# 반도체 제조 ## 개요 반도체조는 전자기기의 핵 부품인 반도체 소 설계하고 생산하는 고도로 정밀한 산업 공정입니다. 이 과정은 실리콘 웨퍼를 기반으로 수십 나노미터(nm) 수준의 미세 구조를 형성하여 트랜지스터, 다이오드, 집적회로(IC) 등을 만드는 일련의 공정으로 구성됩니다. 반도체는 스마트폰, 컴퓨터, 자동차, 인공지능 시스템 등 현대 기술의 ...
# Intel 20A Intel 20A는 인텔el)이 개발한세대 반도체 제조 공 기술로,2024년용화를 목표로 하고 있는 첨단 나노미터m)급 공정 노드입니다. 이 기술은 인텔 'IDM 2.0' 전략의 핵심 구성 요소 중 하나로,도체 제조의 경쟁력을 회복하고 파운드리 시장에서의 입지를 강화하기 위한 중요한 발걸음입니다. Intel 20A는 기존의 10 및 ...
# 1300 nm ## 개요 1300 nm(나노미터)는 광통신에서 중요한 물리적 주파수 대역 중 하나로, 주로 광섬유 통신 시스템에서 사용되는 파장 영역에 해당합니다. 이 파장은 약 230.77 THz(테라헤르츠)의 주파수와 대응되며, 장거리 데이터 전송에서 낮은 신호 손실과 높은 전송 효율을 제공하는 특징이 있습니다. 특히, 실리카 기반 광섬유에서의 ...
# TWINSCAN NXE리즈 ## 개요 TWINSCAN NXE리즈는 네덜란드의 첨단 반체 장비 제업체인 ASML이발한 **극자외선(EUV, Extreme Ultraviolet) 리소그래피 장비의 대표적인 제품군이다. 이 시리즈는 반도체 제 공정에서 회 패턴을 웨이에 정밀하게쇄하는 데 사용며, 7nm 이하의 초미세 공정 기술을 가능하게 하는 핵심 장비로...
# Apple M2 Apple M2는 애플(Apple Inc.)이 설계한 ARM 아키텍처반의 시스템 온 칩(SoC, System on a Chip)으로, 2022년 6월6일 애플의 세계 개발자의(WWDC)에서 공개되었다. M2는 전작인 Apple M1의 후속 모델로서, 향상된 성능, 에너지 효율성, 그래픽 처리 능력, 및 더 높은 메모리 대역폭을 제공한다...
# 나노다공성 TiO₂ 나노다공 이산화티타늄(N-porous TiO₂, Titanium D)은 다공 구조를 가진노미터 크기의 이산티타늄 소재로,은 비표면적과 우수한 광촉매 성능, 전기화학적성 덕분에 에너지, 환경, 전자 기술 등 다양한 분야에서 핵심 소재로 주목고 있다. 특히 태양전지, 수소 생산, 공기 정화, 센서 기술 등에서 중요한 역할을 하며, 지속...
# 몰리브덴 다설파이드 몰리브덴이설파이드olybdenum Diside, MoS)는 고성 윤활 첨가제 산업 전반에 걸쳐리 사용되는 무기 화합물이다 이 물질은어난 윤활성 고온 안정, 그리고 고압 환경에서도 효과를 발하는 특성 덕분에 항공주, 자동차, 정밀기계, 그리고노기술 분야에서 중요한 역할을 있다. 본 문서에서는 몰리덴 다이설파이의 구조,리화학적 성질, ...
# 접이식 설계 ## 개요 접이식 설계(Foldable)는 기계적 구조이나 전자 기기를 접거나 펼 수 있도록 설계된 형태를 의미하며, 특히 휴대성과 공간 효율성을 극대화하는 데 초점을 맞춘 기술적 접근 방식입니다. 이 설계는 전통적인 고정형 구조에서 벗어나 사용자의 편의성과 기기의 실용성을 높이기 위해 다양한 분야에 적용되고 있습니다. 특히 하드웨어 중...
# 망막병증 ## 개요 망막병증視網膜病變, Retinopathy)은 눈의 망막에하는 병변을 총칭하는 의학 용어로, 다양한 원인에 의해 시 저하 또는 실명에 이를 수 있는 심각한 안과 질환입니다. 망막은 눈 뒤쪽에 위치한 신경조직으로, 빛을 감지하여 뇌로 시각 정보를 전달하는 중요한 역할을 합니다. 망막병증은 혈관 손상, 대사 이상, 유전적 요인, 외상 ...
# 음극(An) ## 개요**음극**(An)은 전기학 장치, **배터리** 전자가 외부 회로로 빠져나가는 전극을 의미한다. 일반적으로 배터리가 **방전**(discharge) 상태일 때 음극은 **화 반응**(ation)이 일어나는 지점이며, 전자가 전극에서 빠져나가 전질을 통해 양극으로 이동하게 된다. 이 과정에서 이온은 전해질을 통해 이동하며 전류가 ...
# 전자재료 ## 개요전자재료(電子材料, Electronic Materials)는 전자기기 및 전자회로의 핵심 구성 요소로 사용되는 물질을 의미한다. 이들은 전기적 신호의 생성, 전달, 증폭, 저장, 처리 등을 가능하게 하며, 반도체, 도체, 절연체, 유전체, 자성재료 등 다양한 물리적 특성을 가진 재료들이 포함된다. 전자재료는 현대 정보통신기술(ICT)...
# TSMC ## 개요 **TSMC**(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 대만반도체제조유한공사)는 세계 최대의 파운드리(Fab-less 고객을 위한 반도체 위탁 생산) 기업으로, 1987년 대만에서 설립되었다. 본사는 신주과학공원(新竹科學園區)에 위치하며, 전 세계 반도체 산업의 핵심 인프라를 담당하고 있다....
# 비수용액계 리-공기 배터 ## 개요비수용액계 리튬-공 배터리(Lithium-Air Battery, 비수용액형)는 차세대 고에너지 밀도 전지 기술, 기존 리이온 배터리보다 훨씬 높은 에너지 저장 능력을 제공할 수 잠재력을 지 시스템이다. 이 배터리는 리튬 금속을 음극으로, 산소를 양극 활물질로 사용하며, 전해질로 물을 포함하지 않는 유기 용매를 사용하기...
# EUV 리소그래피## 개요 EUV 리소그래피(EUV Lithography, Extreme Ultraviolet Lithography)는 반도체 제조 공정에서 가장 정밀한 패턴을 형성하기 위해 사용되는 첨단소그래피 기이다. 이 기술은장이 약 **13.5 나노미터(nm)** 인 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)을 이용해 반도체 웨이퍼...
# 고효율 태양전 ## 개요 고효율양전지(高效率 太電池)는 태양광을 전기로 변환하는 과정에서 높은 에너지 변환 효율을 가지는 태양전지를 의미한다. 일반적인 상용 실리콘 기반 태양전지의 효율이 약 15~22% 수준인 반면, 고효율 태양전지는 25% 이상의 효율을 달성하며, 일부 실험적 기술은 40%를 넘기도 한다. 이러한 고성능 태양전지는 공간 제약이 있...
# 반도체 제조 공정 노드 ## 개요 반도체 제조 공정 노드(이하 '공정 노드')는도체 칩을 제조할 때 사용되는 기술의 정밀도와 미세화 수준을 나타내는 지표입니다. 일반적으로 나노미터(nm) 단위로 표현되며, 7nm, 5nm, 3nm 등의 숫자는 트랜지스터의 게이트 길이, 피치(pitch), 또는 특정 구조의 크기를 간접적으로 나타냅니다. 이 숫자가 작...
# GaN ## 개요 갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, 이하 GaN)는 갈륨(Ga)과 질소(N)로 구성된 화합물 반도체 재료로, 넓은 밴드갭(약 3.4 eV)을 가지는 **와이드 밴드갭 반도체**(Wide Bandgap Semiconductor)의 대표적인 예입니다. GaN은 기존 실리콘(Si) 기반 반도체가 가지는 전기적·열적 한계를 극...
# 나노다공성 구조 ## 개요 나노다공성 구조(nanoporous structure)는 나노미터(nm, 10⁻⁹m) 수준의 기공(pore)을 가지며, 그 기공이 규칙적 또는 불규칙적으로 분포된 물질의 구조를 의미한다. 이러한 구조는 높은 비표면적과 독특한 물리·화학적 특성 덕분에 촉매, 에너지 저장, 센서, 약물 전달, 가스 분리 및 여과 등 다양한 분...
# 계면 개질 ## 개요 **계면 개질Interfacial Modification)은 복합재료, 코팅, 접착, 생체재료 등 다양한 재료공학 분에서 두 상(相) 사이의 계면 특성을 조절하여 물질 간의 접착성, 전달 특성, 기계적 강도, 내구성 등을 향상시키는 핵심 기술이다. 이는 주로 서로 다른 물리·화학적 성질을 가진 재료가 접촉하는 경계면에서 발생하는...