# 7nm 공정 ## 개요 **7nm 공정**(7나노미터 공정)은 반도체 제조에서 트랜지스터의 게이트 길이 또는 특정 특징 치수(feature size)를 기준으로 명명된 **첨단 마이크로프로세서 제조 공정 기술**을 의미합니다. 이는 반도체 소자의 미세화 수준을 나타내는 지표로, 7nm는 약 7나노미터(10억 분의 1미터)의 스케일에서 트랜지스터를 설...
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# 레이저 ## 개요 **레이저**(Laser, Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)는 자극 방출을 통해 빛을 증폭시켜 생성하는 광학 기기이다. 일반적인 빛과 달리 레이저는 **단일 파장**(단색성), **낮은 확산성**(지향성), **높은 위상 일관성**(간섭성)을 가지며, 이러한 특성 ...
# EUV 리소그래피 ## 개요 EUV 리소그래피(EUV Lithography, Extreme Ultraviolet Lithography)는 반도체 제조 공정에서 사용되는 차세대 리소그래피 기술로, 13.5nm 파장의 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)을 이용하여 반도체 소자에 미세한 회로 패턴을 전사하는 공정입니다. 이 기술은 기존...
# 메탈 피치 ## 개요 메탈 피치(Metal Pitch)는 반도체 제조 공정에서 매우 중요한 설계 요소 중 하나로, **금속 배선 레이어**에서 인접한 금속 선(메탈 라인)의 중심에서 중심까지의 거리**를 의미합니다. 이는 반도체 소자의 집적도, 성능, 신뢰성, 제조 난이도에 직접적인 영향을 미치며, 특히 첨단 공정 노드(예: 7nm, 5nm, 3nm...
# 마이크로 전기기계 시스템 ## 개요 **마이크로 전기기계 시스템**(Micro-Electro-Mechanical Systems, 이하 **MEMS**)는 마이크로미터(μm) 수준의 크기를 가진 기계적 구조와 전자 회로를 반도체 제조 기술을 활용해 통합한 소형 시스템입니다. MEMS는 기계적 요소, 센서, 액추에이터(구동기), 전자 제어 회로 등을 하...
# IGBT ## 개요 IGBTulated Gate Bipolar Transistor**, 절연게이트 양극성 트랜지스터)는 전력 전자 공학 분야에서 널리 사용되는 반도체 전력 소자로, MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)의 고속 스위칭 특성과 BJT(Bipolar Junction Tran...
# 나노미터 ## 개요 **나노미터nanometer, 기호:nm**)는 길이의 단위로 1미터의 1억 분의 1에 해당하는 매우 작은 거리 단위이다. 즉, 1 나노미터 $ 1 \ 10^{-9} $ 미터로 정의된다. 이 단위는 원자, 분자, 나노소재, 반도체 소자, 생물학적 구조 등 미세한 구조를 측정할 때 주로 사용되며, 현대 과학기술, 특히 나노기술, 전...
# 반도체 제조 ## 개요 반도체조는 전자기기의 핵 부품인 반도체 소 설계하고 생산하는 고도로 정밀한 산업 공정입니다. 이 과정은 실리콘 웨퍼를 기반으로 수십 나노미터(nm) 수준의 미세 구조를 형성하여 트랜지스터, 다이오드, 집적회로(IC) 등을 만드는 일련의 공정으로 구성됩니다. 반도체는 스마트폰, 컴퓨터, 자동차, 인공지능 시스템 등 현대 기술의 ...
# Intel 20A Intel 20A는 인텔el)이 개발한세대 반도체 제조 공 기술로,2024년용화를 목표로 하고 있는 첨단 나노미터m)급 공정 노드입니다. 이 기술은 인텔 'IDM 2.0' 전략의 핵심 구성 요소 중 하나로,도체 제조의 경쟁력을 회복하고 파운드리 시장에서의 입지를 강화하기 위한 중요한 발걸음입니다. Intel 20A는 기존의 10 및 ...
# TWINSCAN NXE리즈 ## 개요 TWINSCAN NXE리즈는 네덜란드의 첨단 반체 장비 제업체인 ASML이발한 **극자외선(EUV, Extreme Ultraviolet) 리소그래피 장비의 대표적인 제품군이다. 이 시리즈는 반도체 제 공정에서 회 패턴을 웨이에 정밀하게쇄하는 데 사용며, 7nm 이하의 초미세 공정 기술을 가능하게 하는 핵심 장비로...
# JEDEC ## 개요 **JEDEC**(Joint Electron Device Council, 정식칭: JEDEC Solid Technology Association)는 전기기, 특히반도체 및 고체 소자**(Solid State Devices) 분야의 국제 표준을 제정 대표적인 **영리 표준화 기관**이다. 본사는 미국 버지니아주 애럴론티에 위치하며...
# High Numerical Aperture EUV ## 개요 **Highical Aperture EU**(High-NA EU)는 차세 반도체 리그래피 기술로서 기존의 극자외선(EUV, Extreme Ultr) 리소그래피를전시켜 더욱세한 반도체턴을 형성하기 위한 핵심 기술입니다 반도체 산은 지속적인 미세화(Moore Law)를 위해소그래피의 해상도 향...
# Realtek Realtek Semiconductor Corp.는 전 세계적으로 널리 알려진 반도체 제조사로, 주로 통신 네트워크, 오디오, 비디오 및 네트워크 인터페이스 제어 기술 분야에서 다양한 집적회로(IC)를 설계하고 제조합니다. 본사는 대만 신주 과학단지에 위치해 있으며, 1987년 설립 이후 PC 및 소비자 전자기기 시장에서 핵심적인 역할을...
# 인프라 구축 비용 ## 개요 인프라 구축 비용은 국가 기업이 경제적·사회적동을 지원하기 위해 필요한 기반 시설을 설계, 건설, 운영하는 데 소요되는 모든 재정적 지출을 의미한다. 이는 도로, 철도, 항만, 통신망, 전력망, 수자원 시설 등 다양한 물리적 인프라와 더불어, 디지털 인프라(예: 데이터센터, 5G 네트워크)의 구축에도 적용된다. 인프라 구...
# 전자재료 ## 개요전자재료(電子材料, Electronic Materials)는 전자기기 및 전자회로의 핵심 구성 요소로 사용되는 물질을 의미한다. 이들은 전기적 신호의 생성, 전달, 증폭, 저장, 처리 등을 가능하게 하며, 반도체, 도체, 절연체, 유전체, 자성재료 등 다양한 물리적 특성을 가진 재료들이 포함된다. 전자재료는 현대 정보통신기술(ICT)...
# TSMC ## 개요 **TSMC**(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 대만반도체제조유한공사)는 세계 최대의 파운드리(Fab-less 고객을 위한 반도체 위탁 생산) 기업으로, 1987년 대만에서 설립되었다. 본사는 신주과학공원(新竹科學園區)에 위치하며, 전 세계 반도체 산업의 핵심 인프라를 담당하고 있다....
# EUV 리소그래피## 개요 EUV 리소그래피(EUV Lithography, Extreme Ultraviolet Lithography)는 반도체 제조 공정에서 가장 정밀한 패턴을 형성하기 위해 사용되는 첨단소그래피 기이다. 이 기술은장이 약 **13.5 나노미터(nm)** 인 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)을 이용해 반도체 웨이퍼...
# 반도체 제조 공정 노드 ## 개요 반도체 제조 공정 노드(이하 '공정 노드')는도체 칩을 제조할 때 사용되는 기술의 정밀도와 미세화 수준을 나타내는 지표입니다. 일반적으로 나노미터(nm) 단위로 표현되며, 7nm, 5nm, 3nm 등의 숫자는 트랜지스터의 게이트 길이, 피치(pitch), 또는 특정 구조의 크기를 간접적으로 나타냅니다. 이 숫자가 작...
# GaN ## 개요 갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, 이하 GaN)는 갈륨(Ga)과 질소(N)로 구성된 화합물 반도체 재료로, 넓은 밴드갭(약 3.4 eV)을 가지는 **와이드 밴드갭 반도체**(Wide Bandgap Semiconductor)의 대표적인 예입니다. GaN은 기존 실리콘(Si) 기반 반도체가 가지는 전기적·열적 한계를 극...
# Intel 18A ## 개요 **Intel 8A**(아이엔텔18에이)는 인텔(Intel)이 개발한 차세대 반도체 제조정 기술로, 2024년부터 본격적인 양산을 시작할 예정인 1.8나노미터(nm)급 공정이다. 이 기술은 인텔의 IDM 2.0 전략의 핵심 요소 중 하나로, 자체 생산 능력을 회복하고 파운드리 시장에서 경쟁력을 확보하기 위한 중요한 발걸음...