# EUV 리소그래피 ## 개요 EUV 리소그래피(EUV Lithography, Extreme Ultraviolet Lithography)는 반도체 제조 공정에서 사용되는 차세대 리소그래피 기술로, 13.5nm 파장의 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)을 이용하여 반도체 소자에 미세한 회로 패턴을 전사하는 공정입니다. 이 기술은 기존...
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"Line Width Variation"에 대한 검색 결과 (총 2개)
# EUV 리소그래피## 개요 EUV 리소그래피(EUV Lithography, Extreme Ultraviolet Lithography)는 반도체 제조 공정에서 가장 정밀한 패턴을 형성하기 위해 사용되는 첨단소그래피 기이다. 이 기술은장이 약 **13.5 나노미터(nm)** 인 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)을 이용해 반도체 웨이퍼...