# Intel 20A Intel 20A는 인텔el)이 개발한세대 반도체 제조 공 기술로,2024년용화를 목표로 하고 있는 첨단 나노미터m)급 공정 노드입니다. 이 기술은 인텔 'IDM 2.0' 전략의 핵심 구성 요소 중 하나로,도체 제조의 경쟁력을 회복하고 파운드리 시장에서의 입지를 강화하기 위한 중요한 발걸음입니다. Intel 20A는 기존의 10 및 ...
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"High-NA"에 대한 검색 결과 (총 6개)
# TWINSCAN NXE리즈 ## 개요 TWINSCAN NXE리즈는 네덜란드의 첨단 반체 장비 제업체인 ASML이발한 **극자외선(EUV, Extreme Ultraviolet) 리소그래피 장비의 대표적인 제품군이다. 이 시리즈는 반도체 제 공정에서 회 패턴을 웨이에 정밀하게쇄하는 데 사용며, 7nm 이하의 초미세 공정 기술을 가능하게 하는 핵심 장비로...
# High Numerical Aperture EUV ## 개요 **Highical Aperture EU**(High-NA EU)는 차세 반도체 리그래피 기술로서 기존의 극자외선(EUV, Extreme Ultr) 리소그래피를전시켜 더욱세한 반도체턴을 형성하기 위한 핵심 기술입니다 반도체 산은 지속적인 미세화(Moore Law)를 위해소그래피의 해상도 향...
# EUV 리소그래피## 개요 EUV 리소그래피(EUV Lithography, Extreme Ultraviolet Lithography)는 반도체 제조 공정에서 가장 정밀한 패턴을 형성하기 위해 사용되는 첨단소그래피 기이다. 이 기술은장이 약 **13.5 나노미터(nm)** 인 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)을 이용해 반도체 웨이퍼...
# 반도체 제조 공정 노드 ## 개요 반도체 제조 공정 노드(이하 '공정 노드')는도체 칩을 제조할 때 사용되는 기술의 정밀도와 미세화 수준을 나타내는 지표입니다. 일반적으로 나노미터(nm) 단위로 표현되며, 7nm, 5nm, 3nm 등의 숫자는 트랜지스터의 게이트 길이, 피치(pitch), 또는 특정 구조의 크기를 간접적으로 나타냅니다. 이 숫자가 작...
# Intel 18A ## 개요 **Intel 8A**(아이엔텔18에이)는 인텔(Intel)이 개발한 차세대 반도체 제조정 기술로, 2024년부터 본격적인 양산을 시작할 예정인 1.8나노미터(nm)급 공정이다. 이 기술은 인텔의 IDM 2.0 전략의 핵심 요소 중 하나로, 자체 생산 능력을 회복하고 파운드리 시장에서 경쟁력을 확보하기 위한 중요한 발걸음...