High Numerical Aperture EUV 개요 Highical Aperture EU(High-NA EU)는 차세 반도체 리그래피 기술로서 기존의 극자외선(EUV, Extreme Ultr) 리소그래피를전시켜 더욱세한 반도체턴을 형성하기 위한 핵심 기술입니다 반도체 산은 지속적인 미세화(Moore Law)를 위해소그래피의 해상도 향이 필수적이며, Hi…
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라이다 개요 라이다(LiDAR, Light Detection and Ranging)는 레이저 빛을 이용해 대상 물체까지의 거리와 형태를 정밀하게 측정하는 센서 기술이다. 이 기술은 레이저 펄스를 발사한 후, 그 빛이 물체에 반사되어 돌아오는 시간을 측정함으로써 거리를 계산하며, 이를 통해 3차원 공간 정보를 생성한다. 자동차 산업, 특히 자율주행차 분야에서…
TSMC 개요 TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 대만반도체제조유한공사)는 세계 최대의 파운드리(Fab-less 고객을 위한 반도체 위탁 생산) 기업으로, 1987년 대만에서 설립되었다. 본사는 신주과학공원(新竹科學園區)에 위치하며, 전 세계 반도체 산업의 핵심 인프라를 담당하고 있다. TSMC는 자체 브…
SSE4 SSE4(Streaming SIMD Extensions 4) 인텔(Intel)과 AMD가 개발한 x86 아키텍처 기반 프로세서에서 사용되는 SIMD(Single Instruction, Multiple Data) 명령어 집합의 확장판으로, 멀티미디어 처리, 영상 인코딩/코딩, 과학 계산, 압축 알고리즘 다양한 성능 집약적 작업의 효율성을 높이기 위해…
반도체 제조 공정 노드 개요 반도체 제조 공정 노드(이하 '공정 노드')는도체 칩을 제조할 때 사용되는 기술의 정밀도와 미세화 수준을 나타내는 지표입니다. 일반적으로 나노미터(nm) 단위로 표현되며, 7nm, 5nm, 3nm 등의 숫자는 트랜지스터의 게이트 길이, 피치(pitch), 또는 특정 구조의 크기를 간접적으로 나타냅니다. 이 숫자가 작을수록 더 많…
Intel 18A 개요 Intel 8A(아이엔텔18에이)는 인텔(Intel)이 개발한 차세대 반도체 제조정 기술로, 2024년부터 본격적인 양산을 시작할 예정인 1.8나노미터(nm)급 공정이다. 이 기술은 인텔의 IDM 2.0 전략의 핵심 요소 중 하나로, 자체 생산 능력을 회복하고 파운드리 시장에서 경쟁력을 확보하기 위한 중요한 발걸음이다. "18A"라는…