# 반도체 제조 공정 노드 ## 개요 반도체 제조 공정 노드(이하 '공정 노드')는도체 칩을 제조할 때 사용되는 기술의 정밀도와 미세화 수준을 나타내는 지표입니다. 일반적으로 나노미터(nm) 단위로 표현되며, 7nm, 5nm, 3nm 등의 숫자는 트랜지스터의 게이트 길이, 피치(pitch), 또는 특정 구조의 크기를 간접적으로 나타냅니다. 이 숫자가 작...

슈뢰딩거 방식 ## 개요 **뢰딩거 방정식**(Södinger Equation은 양자역학 핵심을 이루는 기본 방정식으로, 미시 세계에서 입자의 운동과 상태를 기술하는 데 사용된다. 이 방정식은 1926년 오스트리아의 물리학자 **에르빈 슈뢰딩**(Erwin Schröinger)에 의해안되었으며, 고전역학에서 뉴턴의 운동 법칙이 가지는 역할과 유사하게, ...

# 인프라 구축 비용 ## 개요 인프라 구축 비용은 국가 기업이 경제적·사회적동을 지원하기 위해 필요한 기반 시설을 설계, 건설, 운영하는 데 소요되는 모든 재정적 지출을 의미한다. 이는 도로, 철도, 항만, 통신망, 전력망, 수자원 시설 등 다양한 물리적 인프라와 더불어, 디지털 인프라(예: 데이터센터, 5G 네트워크)의 구축에도 적용된다. 인프라 구...

# 신호 무결 신호 무결성(Signal Integrity SI)은 전자 회 및 통신 시템에서 전기 신호가 원래 형태를 유지하며 전달되는 정도를 의미합니다. 특히 고속 디지털 시스템에서 신호 무결성은 시스템의 안정성과 성능에 직접적인 영향을 미치기 때문에, 설계 단계에서 매우 중요한 고려사항입니다. 신호 무결성이 저하되면 데이터 오류, 시스템 다운, 또는 ...

# 저전력화 ## 개요 **저전력화**(Low-Power Design)는 전자기기 및 시스템의 전력 소비를 최소화하는 기술적 접근 방식을 의미한다. 이는 특히 모바일 기기, 사물인터넷(IoT), 웨어러블 기기, 센서 네트워크 등 배터리 수명이 핵심 성능 지표가 되는 분야에서 중요한 과제로 대두되고 있다. 저전력화 기술은 에너지 효율성을 높이고, 발열을 ...

# 유전체 ## 개요 **유전**(Dielectric)는기 전도성이 매우 낮고, 외부 전기장이 가해졌을 때기적 분극(polarization)이어나는 물질을 말한다. 일반적으로 전도체와 절연체 사이에 위치하며, 전기를 잘 흐르게 하지 않지만 전기장을 저장하거나 조절하는 데 중요한 역할을 한다 유전체는 커패시터, 절연재, 전자소자, 광학소자 등 다양한 분야...

# 라이다 ## 개요 라이다(LiDAR, Light Detection and Ranging)는 레이저 빛을 이용해 대상 물체까지의 거리와 형태를 정밀하게 측정하는 센서 기술이다. 이 기술은 레이저 펄스를 발사한 후, 그 빛이 물체에 반사되어 돌아오는 시간을 측정함으로써 거리를 계산하며, 이를 통해 3차원 공간 정보를 생성한다. 자동차 산업, 특히 자율주...

# 전자재료 ## 개요전자재료(電子材料, Electronic Materials)는 전자기기 및 전자회로의 핵심 구성 요소로 사용되는 물질을 의미한다. 이들은 전기적 신호의 생성, 전달, 증폭, 저장, 처리 등을 가능하게 하며, 반도체, 도체, 절연체, 유전체, 자성재료 등 다양한 물리적 특성을 가진 재료들이 포함된다. 전자재료는 현대 정보통신기술(ICT)...

# TSMC ## 개요 **TSMC**(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 대만반도체제조유한공사)는 세계 최대의 파운드리(Fab-less 고객을 위한 반도체 위탁 생산) 기업으로, 1987년 대만에서 설립되었다. 본사는 신주과학공원(新竹科學園區)에 위치하며, 전 세계 반도체 산업의 핵심 인프라를 담당하고 있다....

# FOC (Field-Oriented Control) ## 개요 **FOCField-Oriented Control 자기장 지향 제어) 전기 모터, 특히 **영구 자석 동기 모터PMSM) 및 **유도 모터IM)의 고효율 정밀 제어를 위해 널리 사용되는 고급 제어 기술입니다. FOC는 모터의 **자계**(flux)와 **토크**(torque)를 독립적으로...

# EUV 리소그래피## 개요 EUV 리소그래피(EUV Lithography, Extreme Ultraviolet Lithography)는 반도체 제조 공정에서 가장 정밀한 패턴을 형성하기 위해 사용되는 첨단소그래피 기이다. 이 기술은장이 약 **13.5 나노미터(nm)** 인 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)을 이용해 반도체 웨이퍼...

# 고효율 태양전 ## 개요 고효율양전지(高效率 太電池)는 태양광을 전기로 변환하는 과정에서 높은 에너지 변환 효율을 가지는 태양전지를 의미한다. 일반적인 상용 실리콘 기반 태양전지의 효율이 약 15~22% 수준인 반면, 고효율 태양전지는 25% 이상의 효율을 달성하며, 일부 실험적 기술은 40%를 넘기도 한다. 이러한 고성능 태양전지는 공간 제약이 있...

# GaN ## 개요 갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, 이하 GaN)는 갈륨(Ga)과 질소(N)로 구성된 화합물 반도체 재료로, 넓은 밴드갭(약 3.4 eV)을 가지는 **와이드 밴드갭 반도체**(Wide Bandgap Semiconductor)의 대표적인 예입니다. GaN은 기존 실리콘(Si) 기반 반도체가 가지는 전기적·열적 한계를 극...

# 나노미터 ## 개요 **나노미**(nanometer, 기호:)는 길이의 단위로, 1미터의 10억 분의 1에 해당하는 매우 작은 거리를 나타냅니다. 수학적으로는 $ 1 \, \text{nm} = 10^{-9} \, \text{m} $로 정의되며, 국제단위계(SI)의 접두어 "나노-(nano-)"가 "십억 분의 일"($10^{-9}$)을 의미합니다. 나...

# Field-Programmable Gate Array ## 개요 **Field-Programmable Gate Array**(FPGA 현장 프로그머블 게이트레이)는 사용자가 소프트웨어 통해 하드웨어 구조를 재구성할 수 있는 반도체 장치입니다. FPGA는통적인 고정 기능의 집적회로(IC)와 달리, 출하 후에도 사용자가 원하는 논리 회로를 프로그래밍하여...

# Intel 18A ## 개요 **Intel 8A**(아이엔텔18에이)는 인텔(Intel)이 개발한 차세대 반도체 제조정 기술로, 2024년부터 본격적인 양산을 시작할 예정인 1.8나노미터(nm)급 공정이다. 이 기술은 인텔의 IDM 2.0 전략의 핵심 요소 중 하나로, 자체 생산 능력을 회복하고 파운드리 시장에서 경쟁력을 확보하기 위한 중요한 발걸음...

# Intel 7 공정 ## 개요 **Intel 7**은텔(Intel)이 개한 10세대 이후의 반도체 제조 공정 기술로, 기존의 **10nm Enhanced SuperFin**(10nm ESF) 공정을 계승·개량하여 성능과 전력 효율을 향상시킨 기술입니다. 이 공정은 인텔 2021년부터 본격적으로 사용하기 시작했으며, 데스크톱 및 모바일 프로세서에 적용...

# Altera ## 개요 **Altera**는 세계적인 반체 설계 및 제조 기으로, 주로 **FPGA**(Field-Programable Gate Array, 현장 프래머블 게트 어레이)와 **CPLD**(Complex Programmable Logic Device, 복합 프래머블 논리 장치)를 전문으로 개발하고 생산하는 회사이다. FPGA는 전자 시...

# Cat 5 **Cat 5**(Category 5)는 네트워크 통신에서 사용되는 유선 케이블의 한 등으로, 이더넷(Ethernet) 네트워크에서 데이터 전송을 위해 널리 사용되었습니다. 이 케이블은 1990년대 중반부터 2000년대 초반까지 LAN(Local Area Network) 설치의 표준으로 자리 잡았으며, 오늘날에도 일부 구형 네트워크 인프라에...

# 계면 개질 ## 개요 **계면 개질Interfacial Modification)은 복합재료, 코팅, 접착, 생체재료 등 다양한 재료공학 분에서 두 상(相) 사이의 계면 특성을 조절하여 물질 간의 접착성, 전달 특성, 기계적 강도, 내구성 등을 향상시키는 핵심 기술이다. 이는 주로 서로 다른 물리·화학적 성질을 가진 재료가 접촉하는 경계면에서 발생하는...