# 7nm 공정 ## 개요 **7nm 공정**(7나노미터 공정)은 반도체 제조에서 트랜지스터의 게이트 길이 또는 특정 특징 치수(feature size)를 기준으로 명명된 **첨단 마이크로프로세서 제조 공정 기술**을 의미합니다. 이는 반도체 소자의 미세화 수준을 나타내는 지표로, 7nm는 약 7나노미터(10억 분의 1미터)의 스케일에서 트랜지스터를 설...
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"트랜지스터"에 대한 검색 결과 (총 22개)
세그먼트 배선 ## 개요 세그먼트 배선(Segment Wiring **FPGA**(Field-Programmable Gate Array, 현장프로그래머블 게이트 배열) 아키텍처의 핵심 구성 요소 중 하나로, FPGA 내부의 다양한 논리 블록과 자원 간의 신호를 연결하는 배선 자원의 구조를 의미합니다. FPGA는 사용자가 원하는 디지털 회로를 재구성할 수...
# 양자역학 ## 개요 양자역학(Quantum Mechanics)은 원자 및 아원자 입자와 같은 미시 세계의 물리적 현상을 설명하는 이론 체계로, 20세기 초에 발전한 현대 물리학의 핵심 분야 중 하나이다. 고전역학이 행성의 운동이나 일상적인 물체의 움직임을 정확히 설명할 수 있지만, 전자, 광자, 원자와 같은 매우 작은 스케일의 입자들은 고전 물리 법...
# 메탈 피치 ## 개요 메탈 피치(Metal Pitch)는 반도체 제조 공정에서 매우 중요한 설계 요소 중 하나로, **금속 배선 레이어**에서 인접한 금속 선(메탈 라인)의 중심에서 중심까지의 거리**를 의미합니다. 이는 반도체 소자의 집적도, 성능, 신뢰성, 제조 난이도에 직접적인 영향을 미치며, 특히 첨단 공정 노드(예: 7nm, 5nm, 3nm...
# IGBT ## 개요 IGBTulated Gate Bipolar Transistor**, 절연게이트 양극성 트랜지스터)는 전력 전자 공학 분야에서 널리 사용되는 반도체 전력 소자로, MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)의 고속 스위칭 특성과 BJT(Bipolar Junction Tran...
# 나노미터 ## 개요 **나노미터nanometer, 기호:nm**)는 길이의 단위로 1미터의 1억 분의 1에 해당하는 매우 작은 거리 단위이다. 즉, 1 나노미터 $ 1 \ 10^{-9} $ 미터로 정의된다. 이 단위는 원자, 분자, 나노소재, 반도체 소자, 생물학적 구조 등 미세한 구조를 측정할 때 주로 사용되며, 현대 과학기술, 특히 나노기술, 전...
# 반도체 제조 ## 개요 반도체조는 전자기기의 핵 부품인 반도체 소 설계하고 생산하는 고도로 정밀한 산업 공정입니다. 이 과정은 실리콘 웨퍼를 기반으로 수십 나노미터(nm) 수준의 미세 구조를 형성하여 트랜지스터, 다이오드, 집적회로(IC) 등을 만드는 일련의 공정으로 구성됩니다. 반도체는 스마트폰, 컴퓨터, 자동차, 인공지능 시스템 등 현대 기술의 ...
# Intel 20A Intel 20A는 인텔el)이 개발한세대 반도체 제조 공 기술로,2024년용화를 목표로 하고 있는 첨단 나노미터m)급 공정 노드입니다. 이 기술은 인텔 'IDM 2.0' 전략의 핵심 구성 요소 중 하나로,도체 제조의 경쟁력을 회복하고 파운드리 시장에서의 입지를 강화하기 위한 중요한 발걸음입니다. Intel 20A는 기존의 10 및 ...
# Apple Silicon Apple Silicon은 애플(Apple Inc.)이 자체 설계한 시스템 온 칩(System on a Chip, SoC) 아키텍처를칭하는 브랜드 이름으로, 주로 맥(Mac), 아이패드(iPad), 아이폰(i) 등 애플의요 하드웨어 제품군에 탑재되어 성능과 에너지 효율성을 극대화하는 데 기여하고 있다. 이 아키텍처는 ARM 기...
# Apple M2 Apple M2는 애플(Apple Inc.)이 설계한 ARM 아키텍처반의 시스템 온 칩(SoC, System on a Chip)으로, 2022년 6월6일 애플의 세계 개발자의(WWDC)에서 공개되었다. M2는 전작인 Apple M1의 후속 모델로서, 향상된 성능, 에너지 효율성, 그래픽 처리 능력, 및 더 높은 메모리 대역폭을 제공한다...
# Apple Silicon **Apple Silicon**은 애플(Apple Inc.)이적으로 설계한 시스템 온 칩(SoC, System on a Chip) 아키텍처의 총칭으로, 주로 맥(Mac), 아이패드(iPad),폰(iPhone) 등의 애플 기기에서 사용되는 반도체 칩이다. 특히 2020부터 맥 제품군 탑재되기 시작하며 인텔 프로세서에서의 전환을 ...
# 몰리브덴 다설파이드 몰리브덴이설파이드olybdenum Diside, MoS)는 고성 윤활 첨가제 산업 전반에 걸쳐리 사용되는 무기 화합물이다 이 물질은어난 윤활성 고온 안정, 그리고 고압 환경에서도 효과를 발하는 특성 덕분에 항공주, 자동차, 정밀기계, 그리고노기술 분야에서 중요한 역할을 있다. 본 문서에서는 몰리덴 다이설파이의 구조,리화학적 성질, ...
# RC 스나바 개요 RC나바(Snubber)는 전력전자로에서 스위 소자(Switching)의 급격한 전압 변화(rate of voltage change, dv/dt)를 억제하고, 스위칭 시 발생하는 전압 서지(Voltage Spike) 고주파 노이즈 제거하기 위해 사용되는 수동 소자 기반의 보호 회로이다. RC 스나바는 저항(Resistor, R)과...
# 저전력화 ## 개요 **저전력화**(Low-Power Design)는 전자기기 및 시스템의 전력 소비를 최소화하는 기술적 접근 방식을 의미한다. 이는 특히 모바일 기기, 사물인터넷(IoT), 웨어러블 기기, 센서 네트워크 등 배터리 수명이 핵심 성능 지표가 되는 분야에서 중요한 과제로 대두되고 있다. 저전력화 기술은 에너지 효율성을 높이고, 발열을 ...
# 전자재료 ## 개요전자재료(電子材料, Electronic Materials)는 전자기기 및 전자회로의 핵심 구성 요소로 사용되는 물질을 의미한다. 이들은 전기적 신호의 생성, 전달, 증폭, 저장, 처리 등을 가능하게 하며, 반도체, 도체, 절연체, 유전체, 자성재료 등 다양한 물리적 특성을 가진 재료들이 포함된다. 전자재료는 현대 정보통신기술(ICT)...
# TSMC ## 개요 **TSMC**(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 대만반도체제조유한공사)는 세계 최대의 파운드리(Fab-less 고객을 위한 반도체 위탁 생산) 기업으로, 1987년 대만에서 설립되었다. 본사는 신주과학공원(新竹科學園區)에 위치하며, 전 세계 반도체 산업의 핵심 인프라를 담당하고 있다....
# EUV 리소그래피## 개요 EUV 리소그래피(EUV Lithography, Extreme Ultraviolet Lithography)는 반도체 제조 공정에서 가장 정밀한 패턴을 형성하기 위해 사용되는 첨단소그래피 기이다. 이 기술은장이 약 **13.5 나노미터(nm)** 인 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)을 이용해 반도체 웨이퍼...
# 반도체 제조 공정 노드 ## 개요 반도체 제조 공정 노드(이하 '공정 노드')는도체 칩을 제조할 때 사용되는 기술의 정밀도와 미세화 수준을 나타내는 지표입니다. 일반적으로 나노미터(nm) 단위로 표현되며, 7nm, 5nm, 3nm 등의 숫자는 트랜지스터의 게이트 길이, 피치(pitch), 또는 특정 구조의 크기를 간접적으로 나타냅니다. 이 숫자가 작...
# Intel 18A ## 개요 **Intel 8A**(아이엔텔18에이)는 인텔(Intel)이 개발한 차세대 반도체 제조정 기술로, 2024년부터 본격적인 양산을 시작할 예정인 1.8나노미터(nm)급 공정이다. 이 기술은 인텔의 IDM 2.0 전략의 핵심 요소 중 하나로, 자체 생산 능력을 회복하고 파운드리 시장에서 경쟁력을 확보하기 위한 중요한 발걸음...
# Intel 7 공정 ## 개요 **Intel 7**은텔(Intel)이 개한 10세대 이후의 반도체 제조 공정 기술로, 기존의 **10nm Enhanced SuperFin**(10nm ESF) 공정을 계승·개량하여 성능과 전력 효율을 향상시킨 기술입니다. 이 공정은 인텔 2021년부터 본격적으로 사용하기 시작했으며, 데스크톱 및 모바일 프로세서에 적용...