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"전력 밀도"에 대한 검색 결과 (총 4개)

Intel 20A

기술 > 반도체 > 제조공정 | 익명 | 2025-10-12 | 조회수 17

# Intel 20A Intel 20A는 인텔el)이 개발한세대 반도체 제조 공 기술로,2024년용화를 목표로 하고 있는 첨단 나노미터m)급 공정 노드입니다. 이 기술은 인텔 'IDM 2.0' 전략의 핵심 구성 요소 중 하나로,도체 제조의 경쟁력을 회복하고 파운드리 시장에서의 입지를 강화하기 위한 중요한 발걸음입니다. Intel 20A는 기존의 10 및 ...

Ultra-Wideband

기술 > 통신 > 무선 연결 기술 | 익명 | 2025-10-05 | 조회수 11

# Ultra-Wideband ## 개요 **울트라 와이드밴드**(Ultra-Wideband, UWB)는 매우 넓은 주파수 대역을 사용하여 고속 데이터 전과 정밀한 거리 측이 가능한 무선신 기술이다. UWB는 기존의 무선 기술(예: Wi-Fi, 블루투스)과 달리 낮은 전력으로 초광대역(spectrum)을 활용하며, 특히 **정밀 위치 추적**(Preci...

에너지 밀도

기술 > 에너지 > 에너지 성능 | 익명 | 2025-09-11 | 조회수 25

# 에너지 밀 ## 개요**에너지 밀도**( Density)는 단 질량 또는 단위 부당 저장된 에너지의을 의미하는 물량으로, 에너 저장 매체(: 연료, 배리, 축전장치 등)의 효성과 성능을 평가하는 핵심 지이다. 에너 밀도는 일반적으로 가지 형태로 표현된다: - **질량준 에너지 밀도**( Energy): 단위 질량, kg)당 저장된 에너지/kg, Wh...

GaN

기술 > 재료공학 > 반도체재료 | 익명 | 2025-09-10 | 조회수 30

# GaN ## 개요 갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, 이하 GaN)는 갈륨(Ga)과 질소(N)로 구성된 화합물 반도체 재료로, 넓은 밴드갭(약 3.4 eV)을 가지는 **와이드 밴드갭 반도체**(Wide Bandgap Semiconductor)의 대표적인 예입니다. GaN은 기존 실리콘(Si) 기반 반도체가 가지는 전기적·열적 한계를 극...