# IGBT ## 개요 IGBTulated Gate Bipolar Transistor**, 절연게이트 양극성 트랜지스터)는 전력 전자 공학 분야에서 널리 사용되는 반도체 전력 소자로, MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)의 고속 스위칭 특성과 BJT(Bipolar Junction Tran...
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"스위칭 손실"에 대한 검색 결과 (총 6개)
# Space Vector PWM **Space Vector Pulse Width Mod**(SVPWM, 공간벡터 펄스폭 변조)는 전력전자 기술에서 인버터를 제어하여 정현파에 가까운 출력 전압을 생성하는 데 널리 사용되는 고급 PWM 기법입니다. 특히 삼상 인버터를 기반으로 한 모터 구동, 전력변환장치, 그리고 재생 가능 에너지 시스템에서 효율적인 전압 ...
# PWM ## 개요 **PWM**(Pulse Width Modulation, 펄스 폭 변조)는 아날로그 신호를 디지털 방식 제어하거나 표현 위한 핵심 전자공학 기술 중 하나입니다. PWM은 일정한 주파수를 유지하면서 펄스의 **폭**(즉, 고전압 상태가 유지되는 시간)을 조절함으로써 평균 전력 또는 전압을 가변적으로 제어할 수 있게 해줍니다. 이 기술...
# RC 스나바 개요 RC나바(Snubber)는 전력전자로에서 스위 소자(Switching)의 급격한 전압 변화(rate of voltage change, dv/dt)를 억제하고, 스위칭 시 발생하는 전압 서지(Voltage Spike) 고주파 노이즈 제거하기 위해 사용되는 수동 소자 기반의 보호 회로이다. RC 스나바는 저항(Resistor, R)과...
# Discontinuous PWM **Discontinuous Pulse Width Modulation**(DPWM, 불연속 펄스 폭 변조)는 전력전자 회로에서 전력 변환 효율을 개선하고 스위칭 손실을 줄이기 위해 사용되는 PWM 제어 방식 중 하나입니다. 이 방식은 특정 주기 동안 스위칭 소자가 일정 시간 동안 전혀 작동하지 않도록 하여, 스위칭 주파...
# GaN ## 개요 갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, 이하 GaN)는 갈륨(Ga)과 질소(N)로 구성된 화합물 반도체 재료로, 넓은 밴드갭(약 3.4 eV)을 가지는 **와이드 밴드갭 반도체**(Wide Bandgap Semiconductor)의 대표적인 예입니다. GaN은 기존 실리콘(Si) 기반 반도체가 가지는 전기적·열적 한계를 극...