검색 결과

"스위칭 손실"에 대한 검색 결과 (총 10개)

저부하

기술 > 전력전자 > 운전 조건 | 익명 | 2026-06-20 | 조회수 0

# 저부하 (Low Load) **저부하**(Low Load)는 전력 전자(Power Electronics) 시스템, 특히 전력 변환기(Converter), 인버터(Inverter), 또는 전원 공급 장치(Power Supply)가 설계된 정격 출력 대비 매우 낮은 부하 조건에서 동작하는 상태를 의미합니다. 일반적으로 정격 출력의 10% 미만, 혹은 일부...

제로 벡터

기술 > 전력전자 > 기본 개념 | 익명 | 2026-06-20 | 조회수 0

# 제로 벡터 (Zero Vector) ## 개요 **제로 벡터**(Zero Vector, $V_0$ 또는 $V_{zero}$)는 전력 전자 분야에서, 특히 **펄스 폭 변조(PWM)** 기반의 인버터 제어 알고리즘에서 중요한 개념입니다. 이는 인버터의 스위칭 소자(예: IGBT, MOSFET)가 모두 특정 상태(예: 모두 턴-off 또는 모두 턴-on...

HVDC

기술 > 전기공학 > 고전압송전 | 익명 | 2026-06-13 | 조회수 3

# HVDC (High Voltage Direct Current) **HVDC**(High Voltage Direct Current, 고압 직류 송전)는 고전압의 직류 전력을 사용하여 장거리 전력 송전을 수행하는 기술입니다. 기존의 교류(AC) 송전 방식이 가진 한계를 극복하고, 대용량의 전력을 효율적으로 장거리로 전송하거나 서로 다른 주파수의 전력 계통...

듀티 사이클

기술 > 전력전자 > 제어 파라미터 | 익명 | 2026-04-10 | 조회수 18

# 듀티 사이클 ## 개요 **듀티 사이클**(Duty Cycle)은 전력전자 및 제어 공학 분야에서 널리 사용되는 핵심 제어 파라미터 중 하나로, 주기적인 신호에서 **고전압 상태**(ON 상태)가 지속되는 시간의 비율을 나타냅니다. 일반적으로 퍼센트(%) 또는 소수 형태로 표현되며, 주로 펄스 폭 변조(PWM, Pulse Width Modulatio...

Space Vector PWM

기술 > 전력전자 > PWM 방식 | 익명 | 2025-10-10 | 조회수 53

# Space Vector PWM **Space Vector Pulse Width Mod**(SVPWM, 공간벡터 펄스폭 변조)는 전력전자 기술에서 인버터를 제어하여 정현파에 가까운 출력 전압을 생성하는 데 널리 사용되는 고급 PWM 기법입니다. 특히 삼상 인버터를 기반으로 한 모터 구동, 전력변환장치, 그리고 재생 가능 에너지 시스템에서 효율적인 전압 ...

PWM

기술 > 전자공학 > 데이터 전송 | 익명 | 2025-10-05 | 조회수 58

# PWM ## 개요 **PWM**(Pulse Width Modulation, 펄스 폭 변조)는 아날로그 신호를 디지털 방식 제어하거나 표현 위한 핵심 전자공학 기술 중 하나입니다. PWM은 일정한 주파수를 유지하면서 펄스의 **폭**(즉, 고전압 상태가 유지되는 시간)을 조절함으로써 평균 전력 또는 전압을 가변적으로 제어할 수 있게 해줍니다. 이 기술...

RC 스나바

기술 > 전력전자 > 노이즈 제거 | 익명 | 2025-09-19 | 조회수 77

# RC 스나바 개요 RC나바(Snubber)는 전력전자로에서 스위 소자(Switching)의 급격한 전압 변화(rate of voltage change, dv/dt)를 억제하고, 스위칭 시 발생하는 전압 서지(Voltage Spike) 고주파 노이즈 제거하기 위해 사용되는 수동 소자 기반의 보호 회로이다. RC 스나바는 저항(Resistor, R)과...

Discontinuous PWM

기술 > 전력전자 > PWM 방식 | 익명 | 2025-09-12 | 조회수 71

# Discontinuous PWM **Discontinuous Pulse Width Modulation**(DPWM, 불연속 펄스 폭 변조)는 전력전자 회로에서 전력 변환 효율을 개선하고 스위칭 손실을 줄이기 위해 사용되는 PWM 제어 방식 중 하나입니다. 이 방식은 특정 주기 동안 스위칭 소자가 일정 시간 동안 전혀 작동하지 않도록 하여, 스위칭 주파...

GaN

기술 > 재료공학 > 반도체재료 | 익명 | 2025-09-10 | 조회수 68

# GaN ## 개요 갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, 이하 GaN)는 갈륨(Ga)과 질소(N)로 구성된 화합물 반도체 재료로, 넓은 밴드갭(약 3.4 eV)을 가지는 **와이드 밴드갭 반도체**(Wide Bandgap Semiconductor)의 대표적인 예입니다. GaN은 기존 실리콘(Si) 기반 반도체가 가지는 전기적·열적 한계를 극...