GaN 익명 • 2025-09-10 • 조회수 3 기술 / 재료공학 / 반도체재료 # GaN ## 개요 갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, 이하 GaN)는 갈륨(Ga)과 질소(N)로 구성된 화합물 반도체 재료로, 넓은 밴드갭(약 3.4 eV)을 가지는 **와이드 밴드갭 반도체**(Wide Bandgap Semiconductor)의 대... GaN와이드 밴드갭 반도체HEMT +7