에피택셜 성장 (Epitaxial Growth) 1. 개요 에피택셜 성장(Epitaxial Growth)이란 [[단결정]] 기판(Substrate) 위에 그 결정 방향을 유지하며 새로운 결정층을 성장시키는 기술을 의미한다. 그리스어로 '위에'를 뜻하는 'epi'와 '정렬'을 뜻하는 'taxis'의 합성어에서 유래되었으며, 기판의 결정 구조가 템플릿 역할을 …
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GaN 개요 갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, 이하 GaN)는 갈륨(Ga)과 질소(N)로 구성된 화합물 반도체 재료로, 넓은 밴드갭(약 3.4 eV)을 가지는 와이드 밴드갭 반도체(Wide Bandgap Semiconductor)의 대표적인 예입니다. GaN은 기존 실리콘(Si) 기반 반도체가 가지는 전기적·열적 한계를 극복할 수 있는 차세대…